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一种基于电击穿在氮化硅薄膜上精确制备纳米孔的方法

分类 : 专利

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日期 : 2019-06-18

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  一种电击穿在氮化硅薄膜上精确制备纳米孔的方法。

  制备纳米孔的方法包括S1:测量薄膜两端的IV曲线,通过Labview程序线性拟合获得薄膜两端的电阻值;S2:通过圆柱模型的纳米孔电导率公式,薄膜两端的电导率可估算出小孔的孔径,进而实时输出;S3:对比测量小孔孔径与目标孔径的关系,决定下一步脉冲电压的强度Voutput;本发明具有成本低、系统操作简单、操作全自动、纳米孔大小可调节、尺寸控制精度高等特点,可制备2。5nm以上任意尺寸的纳米孔,尺寸精度可控制在±0。5nm以内;制备纳米孔的方法在下一代DNA测序仪器开发,单分子检测以及癌症等医学检测领域具有非常好的应用前景。

专利信息

专利号 CN201510749988.6 专利分类 发明专利
专利交易状态 转让技术成果 有效截止时间 2020-06-18
合作方式 成果转让

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