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一种低残硅尺寸和含量的反应烧结碳化硅陶瓷的制备方法

分类 : 专利

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日期 : 2019-08-20

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一种低残硅尺寸和含量的反应烧结碳化硅陶瓷的制备方法,以短碳纤维作为一种缓释碳源,添加碳化硼粉末促进素坯渗硅充分。通过添加质量分数68.2~33.2%的碳化硅粉末,6.8~41.8%的短碳纤维,15%的碳化硼粉末和10%的酚醛树脂为原料,依次进行纤维预处理,分级混料,双向加压压制成型,烘干固化,反应烧结;该方法工艺简便,通过特殊的碳源选择和一定的原料成分配比制备出残硅相尺寸小、含量低的高力学性能的反应烧结碳化硅复合陶瓷。

专利信息

专利号 CN201710287236.1 专利分类 发明专利
专利交易状态 转让技术成果 有效截止时间 2020-08-20
合作方式 成果转让

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