一种低残硅尺寸和含量的反应烧结碳化硅陶瓷的制备方法,以短碳纤维作为一种缓释碳源,添加碳化硼粉末促进素坯渗硅充分。通过添加质量分数68.2~33.2%的碳化硅粉末,6.8~41.8%的短碳纤维,15%的碳化硼粉末和10%的酚醛树脂为原料,依次进行纤维预处理,分级混料,双向加压压制成型,烘干固化,反应烧结;该方法工艺简便,通过特殊的碳源选择和一定的原料成分配比制备出残硅相尺寸小、含量低的高力学性能的反应烧结碳化硅复合陶瓷。
专利号 | CN201710287236.1 | 专利分类 | 发明专利 |
专利交易状态 | 转让技术成果 | 有效截止时间 | 2020-08-20 |
合作方式 | 成果转让 |
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