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一种用硒膜修饰电极测定铜离子的方法

分类 : 专利

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日期 : 2017-08-04

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一种用硒膜修饰电极测定铜离子的方法,采用电化学三电极测试系统和阳极溶出微分计时电势法进行测定,以热裂解石墨为电极基质,在稀盐酸酸化介质中经Na2SeO3Cu(II)还原共富集时形成的硒膜作为工作电极,其上共还原富集铜的硒化物Cu2Se,通过记录工作电极上电势E随测试时间T的变化函数并进行微分处理得到dT/dEE的微分曲线,通过微分曲线上特征响应峰的高度计算Cu(II)的含量。本发明方法克服了传统汞电极的环境危害和剧毒性等缺点,并且具有测试灵敏度高,抗干扰性强,环保性好,成本低,流程短,便于操作,效率高的优点,可用于天然水质中微量或痕量铜离子的分析测定。

专利信息

专利号 200910144921.4 专利分类 发明专利
专利交易状态 转让技术成果 有效截止时间 2018-08-04
合作方式 成果转让

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