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一种自组装形成的CdTe量子点/SiO2/TGA复合三维纳米材料及其制备方法

分类 : 技术

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日期 : 2018-12-11

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本发明涉及一种自组装形成的CdTe量子点/SiO2/TGA复合三维纳米材料及其制备方法,复合三维纳米材料由CdTe量子点、SiO2和TGA组成,TGA作为配体修饰在CdTe量子点表面,TGA修饰的CdTe量子点表面包覆有SiO2层,TGA位于CdTe量子点和SiO2层之间;形状为稻草捆状,长度为200~300μm,中心处直径为50~120μm。其制备方法为,?TGA修饰的CdTe量子点在室温下用溶胶凝胶法包覆一层SiO2层,然后分散到PBS缓冲液自组装得到具有高发光亮度的CdTe量子点/SiO2/TGA复合三维纳米材料,在传感器、发光装置、太阳能电池等领域有广泛的应用前景。

技术信息

信息分类 成果 愿意合作方式 成果转让
成果成熟度类型 可以量产 有效截止时间 2019-12-11
交易状态 转让技术成果

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